Turn-off analysis of the IGBT used in ZCS mode

S. Lefebvre, F. Forest, F. Calmon, J. P. Chante

Результат исследования: Материалы для типов конференцийДокумент

1 Цитирования (Scopus)

Аннотация

This paper presents a study of the behaviour of PT and NPT IGBT in Zero Current Switching mode. Simulations allow to estimate the stored charge during turn-off cycle in this switching mode. We observe and we explain how to reduce turn-off losses by action on the gate drive, or by the choice of the device technology.

Язык оригиналаАнглийский
Страницы99-104
Количество страниц6
Статус публикацииОпубликовано - 1 дек 1994
Опубликовано для внешнего пользованияДа
СобытиеProceedings of the 1994 6th IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs - Davos, Switz
Длительность: 31 мая 19942 июн 1994

Конференция

КонференцияProceedings of the 1994 6th IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs
ГородDavos, Switz
Период31.5.942.6.94

    Fingerprint

ASJC Scopus subject areas

  • Engineering(all)

Цитировать

Lefebvre, S., Forest, F., Calmon, F., & Chante, J. P. (1994). Turn-off analysis of the IGBT used in ZCS mode. 99-104. Документ представлен на Proceedings of the 1994 6th IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs, Davos, Switz, .