The accumulation of radiation defects in gallium arsenide that has been subjected to pulsed and continuous ion implantation

M. V. Ardyshev, V. M. Ardyshev, Yu Yu Kryuchkov

Результат исследований: Материалы для журналаСтатьярецензирование

Язык оригиналаАнглийский
Страницы (с-по)313-315
Число страниц3
ЖурналFizika i Tekhnika Poluprovodnikov
Том39
Номер выпуска3
СостояниеОпубликовано - 2005

ASJC Scopus subject areas

  • Electrical and Electronic Engineering
  • Atomic and Molecular Physics, and Optics

Цитировать