Temperature dependence of accumulation of radiation defects in ionic crystals

Результат исследований: Материалы для журналаСтатья

3 Цитирования (Scopus)

Аннотация

The processes responsible for the temperature dependence of the accumulation of radiation defects are analyzed. An analytic expression is obtained for the temperature dependence of defect accumulation in a wide temperature range.

Язык оригиналаАнглийский
Страницы (с-по)181-184
Число страниц4
ЖурналSoviet Physics Journal
Том22
Номер выпуска2
DOI
СостояниеОпубликовано - фев 1979

ASJC Scopus subject areas

  • Physics and Astronomy(all)

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Temperature dependence of accumulation of radiation defects in ionic crystals». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

  • Цитировать