Аннотация
The processes responsible for the temperature dependence of the accumulation of radiation defects are analyzed. An analytic expression is obtained for the temperature dependence of defect accumulation in a wide temperature range.
Язык оригинала | Английский |
---|---|
Страницы (с-по) | 181-184 |
Число страниц | 4 |
Журнал | Soviet Physics Journal |
Том | 22 |
Номер выпуска | 2 |
DOI | |
Состояние | Опубликовано - фев 1979 |
ASJC Scopus subject areas
- Physics and Astronomy(all)