Surface analysis of smart power top metal: IR thermal measurement and source potential mapping

M. Berkani, S. Lefebvre, G. Rostaing, M. Riccio, A. Irace, R. Ruffilli, Ph Dupuy

Результат исследований: Материалы для книги/типы отчетовМатериалы для конференции

1 Цитирования (Scopus)

Аннотация

Reliability of modern power MOSFETs is assessed through accelerated electro-thermal aging tests. Top metallization layer reconstruction is one of the most observed degradation mechanisms in power devices operating under short circuit conditions. Experimental analysis results focused on temperature measurement and source potential mapping during ageing will be presented to corroborate previous results on electrical parameters evolution and to give new tools for health monitoring.

Язык оригиналаАнглийский
Название основной публикацииProceedings of the 2016 28th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, ISPSD 2016
ИздательInstitute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
Страницы395-398
Число страниц4
ISBN (электронное издание)9781467387682
DOI
СостояниеОпубликовано - 25 июл 2016
Опубликовано для внешнего пользованияДа
Событие28th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, ISPSD 2016 - Prague, Чешская Республика
Продолжительность: 12 июн 201616 июн 2016

Серия публикаций

НазваниеProceedings of the International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs
Том2016-July
ISSN (печатное издание)1063-6854

Конференция

Конференция28th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, ISPSD 2016
СтранаЧешская Республика
ГородPrague
Период12.6.1616.6.16

ASJC Scopus subject areas

  • Engineering(all)

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Surface analysis of smart power top metal: IR thermal measurement and source potential mapping». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

  • Цитировать

    Berkani, M., Lefebvre, S., Rostaing, G., Riccio, M., Irace, A., Ruffilli, R., & Dupuy, P. (2016). Surface analysis of smart power top metal: IR thermal measurement and source potential mapping. В Proceedings of the 2016 28th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, ISPSD 2016 (стр. 395-398). [7520861] (Proceedings of the International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs; Том 2016-July). Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.. https://doi.org/10.1109/ISPSD.2016.7520861