Study on the influence of the magnetron power supply on the properties of the Silicon Nitride films

D. V. Kiseleva, Y. N. Yurjev, Y. V. Petrakov, D. V. Sidelev, D. V. Korzhenko, Evgenii V. Erofeev

Результат исследований: Материалы для журналаСтатья

1 Цитирования (Scopus)

Аннотация

Silicon nitride (Si3N4) films were deposited by magnetron sputtering of silicon target in (Ar+N2) atmosphere with refractive index 1.95 - 2.05. The results of Fourier transform infrared (FTIR) spectrophotometry showed Si-N bonds in the thin films with concentration 2.41•1023 - 3.48•1023 cm-3. Dependences of deposition rate, optical characteristics and surface morphology on rate of N2 flow and properties of magnetron power supply.

Язык оригиналаАнглийский
Номер статьи012028
ЖурналJournal of Physics: Conference Series
Том789
Номер выпуска1
DOI
СостояниеОпубликовано - 10 фев 2017
Событие8th All-Russian Conference on Low Temperature Plasma in the Processes of Functional Coating Preparation, LTP 2016 - Kazan, Российская Федерация
Продолжительность: 6 ноя 20169 ноя 2016

ASJC Scopus subject areas

  • Physics and Astronomy(all)

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Study on the influence of the magnetron power supply on the properties of the Silicon Nitride films». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

  • Цитировать