Recombination luminescence of CsI(Tl) under electron pulse irradiation

L. Trefilova, V. Yakovlev, A. Meleshko, N. Kosinov

Результат исследований: Материалы для журналаСтатья

6 Цитирования (Scopus)

Аннотация

The luminescence kinetics of CsI(Tl) exposed to an electron pulse irradiation (Ee = 250 keV, t1/2 = 10 ns, j = 2 ÷ 160 mJ/cm2) has been studied. It has been discovered that the slow emission rise is due to hole Vk-Tl0 recombination luminescence at temperature from 100 to 160 K and electron-VkA recombination, where electrons released from single Tl0 at temperature from 180 to 300 K. The effect of Tl concentration on both processes has been investigated.

Язык оригиналаАнглийский
Страницы (с-по)328-330
Число страниц3
ЖурналRadiation Measurements
Том45
Номер выпуска3-6
DOI
СостояниеОпубликовано - мар 2010

ASJC Scopus subject areas

  • Radiation
  • Instrumentation

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Recombination luminescence of CsI(Tl) under electron pulse irradiation». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

  • Цитировать