Positron annihilation in silicon crystals with mechanically processed surfaces

K. P. Arefiev, A. S. Karetnikov, S. A. Vorobiev

Результат исследований: Материалы для журналаСтатьярецензирование

3 Цитирования (Scopus)

Аннотация

The angular correlation curves of the annihilation photons and the probability of three-quantum annihilation in silicon single crystals with mechanically processed surfaces were measured. The narrowing of the angular correlation curves increases and the three-quantum yield decreases with the depth of the surface abrasion. This is tentatively interpreted in terms of formation of positronium states on the surface of the silicon crystals.

Язык оригиналаАнглийский
Страницы (с-по)273-276
Число страниц4
ЖурналApplied Physics
Том8
Номер выпуска3
DOI
СостояниеОпубликовано - ноя 1975

ASJC Scopus subject areas

  • Materials Science(all)
  • Physics and Astronomy(all)
  • Physics and Astronomy (miscellaneous)
  • Atomic and Molecular Physics, and Optics

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Positron annihilation in silicon crystals with mechanically processed surfaces». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать