Positron annihilation in Si and GaAs crystals with an applied magnetic field

K. P. Arefiev, A. S. Karetnikov, A. A. Tsoi, S. A. Vorobiev

Результат исследований: Материалы для журналаСтатья

5 Цитирования (Scopus)

Аннотация

The narrow components in angular correlation curves of positron annihilation in Si and GaAs were observed. Hence it follows the formation of positronium-like states in semiconductors. Effects of mechanical and radiation treatment of the samples of Ps-states are discussed.

Язык оригиналаАнглийский
Страницы (с-по)219-220
Число страниц2
ЖурналPhysics Letters A
Том59
Номер выпуска3
DOI
СостояниеОпубликовано - 29 ноя 1976

ASJC Scopus subject areas

  • Physics and Astronomy(all)

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Positron annihilation in Si and GaAs crystals with an applied magnetic field». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

  • Цитировать