Planar channelling of relativistic electrons in half-wave silicon crystal and corresponding radiation

Y. Takabayashi, V. G. Bagrov, O. V. Bogdanov, Yu L. Pivovarov, T. A. Tukhfatullin

Результат исследований: Материалы для журналаСтатья

Аннотация

New experimental data on planar channeling of 255 MeV electrons in a 0.74 μm Si Half-Wave Crystal (HWC) obtained at SAGA-LS facility are presented. The computer simulation showed that the angular distribution of electrons after penetration through the HWC revealed the number of unknown before peculiarities is connected with specific electron trajectories in HWC. These specific trajectories lead to specific radiation, the properties of which are analyzed.

Язык оригиналаАнглийский
Номер статьи012036
ЖурналJournal of Physics: Conference Series
Том732
Номер выпуска1
DOI
СостояниеОпубликовано - 3 авг 2016

ASJC Scopus subject areas

  • Physics and Astronomy(all)

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Planar channelling of relativistic electrons in half-wave silicon crystal and corresponding radiation». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

  • Виды деятельности

    • 1 Участие в конференции

    International Symposium «Radiation from Relativistic Electrons in Periodic Structures»

    Oleg Victorovich Bogdanov (Участник), Anatoly Sergeevich Konkov (Участник), Dmitry Andreevich Shkitov (Участник), Gennagy Andreevich Naumenko (Участник), Artem Igorevich Novokshonov (Участник), Sergey Vladimirovich Abdrashitov (Участник), Leonid Grigorievich Sukhikh (Участник), Vitold Vladislavovich Bleko (Участник), Dan Alexandrovich Verigin (Участник), Veronika Vyacheslavovna Soboleva (Участник), Anton Anatolievich Babaev (Участник), Alexander Petrovich Potylitsyn (Член программного комитета) & Sergey Romanovich Uglov (Участник)

    6 сен 201511 сен 2015

    Деятельность: Участие в конференции

    Цитировать