Orbital angular momentum of channeling radiation from relativistic electrons in thin Si crystal

Результат исследований: Материалы для журналаСтатья

9 Цитирования (Scopus)

Аннотация

We propose to use channeling radiation (CR) from relativistic electrons as a source of high energy twisted photons in the MeV range. We calculate numerically the orbital angular momentum (OAM) of radiation produced by electrons with the energies 155÷2500 MeV for the axial and planar channeling in the thin Si crystal. We obtain that the average OAM of CR in this case is approximately 1÷6ħ per photon with the photon energies about 1÷2 MeV.

Язык оригиналаАнглийский
Страницы (с-по)3141-3145
Число страниц5
ЖурналPhysics Letters, Section A: General, Atomic and Solid State Physics
Том382
Номер выпуска42-43
DOI
СостояниеОпубликовано - 26 окт 2018

ASJC Scopus subject areas

  • Physics and Astronomy(all)

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Orbital angular momentum of channeling radiation from relativistic electrons in thin Si crystal». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

  • Цитировать