Optimal Doping of GaSe Crystals for Nonlinear Optics Applications

Yu M. Andreev, E. A. Vaitulevich, K. A. Kokh, G. V. Lanskii, Valery Fedorovich Losev, D. M. Lubenko, V. A. Svetlichnyi, A. N. Soldatov, A. V. Shaiduko

Результат исследований: Материалы для журналаСтатьярецензирование

4 Цитирования (Scopus)


Centimeter-sized crystals of GaSe have been grown by a modified vertical Bridgman method from a melt with content 0.01, 0.05, 0.1, 0.2, 0.5, 1, and 2 at.% Al and 0.025, 0.1, 0.5, 1, and 2 at.% Er using heat field rotation. Their physical properties have been investigated and compared with the properties of doped crystals with content 0.1, 0.5, 1, 2, 3, 5, 7, and 10.2 mass% S, 0.01, 0.1, 0.5, 1, 2, 3, and 5 mass% In, and 0.01, 0.1, 0.5, 1, and 2 mass% Te, grown by the same method and by the conventional Bridgman method. Optimal levels of doping of GaSe crystals with Al and Er have been established here for the first time to be equal to 0.01-0.05 at.% Al and ~0.5 at.% Er, respectively, of the growth charge.

Язык оригиналаАнглийский
Страницы (с-по)1250-1257
Число страниц8
ЖурналRussian Physics Journal
Номер выпуска11
СостояниеОпубликовано - 1 янв 2014

ASJC Scopus subject areas

  • Physics and Astronomy(all)

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Optimal Doping of GaSe Crystals for Nonlinear Optics Applications». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).