INVESTIGATION OF THE CHARGE STATE OF IMPURITY ATOMS IN SEMICONDUCTING MATERIALS BY POSITRON ANNIHILATION METHOD.

K. P. Aref'ev, S. A. Vorob'ev, A. N. Grishin, V. N. Klimov, A. T. Shaposhnikov, G. I. Etin, A. A. Tsio

Результат исследований: Материалы для книги/типы отчетовГлава

Аннотация

The positron annihilation method was used in a determination of the momentum distribution of the valence electrons of silicon impurities in gallium arsenide and in Al//xGa//1// minus //xAs solid solutions. The impurity atoms were in singly and doubly ionized states in the GaAs lattice. Positronium states were observed near structure defects in Al//xGa//1// minus //xAs:Si solid solutions.

Язык оригиналаАнглийский
Название основной публикацииSov Phys Semicond
Страницы935-937
Число страниц3
Том11
Издание8
СостояниеОпубликовано - авг 1977

ASJC Scopus subject areas

  • Engineering(all)

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «INVESTIGATION OF THE CHARGE STATE OF IMPURITY ATOMS IN SEMICONDUCTING MATERIALS BY POSITRON ANNIHILATION METHOD.». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

  • Цитировать

    Aref'ev, K. P., Vorob'ev, S. A., Grishin, A. N., Klimov, V. N., Shaposhnikov, A. T., Etin, G. I., & Tsio, A. A. (1977). INVESTIGATION OF THE CHARGE STATE OF IMPURITY ATOMS IN SEMICONDUCTING MATERIALS BY POSITRON ANNIHILATION METHOD. В Sov Phys Semicond (8 ред., Том 11, стр. 935-937)