Investigation of defects in epitaxial InP layers grown on GaAs(100)

E. Yu Boyarko, V. M. Malutin, Yu Yu Kryuchkov, V. P. Koshcheev

Результат исследований: Материалы для журналаСтатья

Аннотация

The defects of epitaxial InP layer grown on GaAs(100) substrate has been studied using the Rutherford back-scattering of channeled ions (RBS/C). The azimuth misorientation (equal to 45°) of the layer with respect to a substrate has been observed. The information on a concentration profile of defects in depth is obtained on the base of RBS/C spectra.

Язык оригиналаАнглийский
Страницы (с-по)28-31
Число страниц4
ЖурналPoverkhnost Rentgenovskie Sinkhronnye i Nejtronnye Issledovaniya
Номер выпуска3
СостояниеОпубликовано - 2005
Опубликовано для внешнего пользованияДа

ASJC Scopus subject areas

  • Mechanical Engineering

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Investigation of defects in epitaxial InP layers grown on GaAs(100)». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

  • Цитировать