Investigation of 1.2 kV investigation of SiC MOSFETs for aeronautics applications

Othman, S. Lefebvre, M. Berkani, Z. Khatir, A. Ibrahim, A. Bouzourene

Результат исследований: Материалы для книги/типы отчетовМатериалы для конференции

15 Цитирования (Scopus)

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Investigation of 1.2 kV investigation of SiC MOSFETs for aeronautics applications». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Engineering & Materials Science