INFLUENCE OF AN ELECTRICALLY INACTIVE IMPURITY ON THE WIDTH OF PHOTOTHERMAL IONIZATION LINES OF A DIFFERENT SHALLOW IMPURITY.

S. N. Artemenko, A. A. Kal'fa, Sh M. Kogan, V. I. Sidorov

Результат исследований: Материалы для книги/типы отчетовГлава

4 Цитирования (Scopus)

Аннотация

An investigation was made of the influence of an electrically inactive impurity in a semiconductor on the profile of optical absorption lines and on the photothermal ionization of a different (shallow) impurity in the same semiconductor. Several mechanisms of the line broadening are considered theoretically. The results are given of an experimental study of the influence of a barium impurity on the photothermal ionization line of a gallium impurity in germanium.

Язык оригиналаАнглийский
Название основной публикацииSov Phys Semicond
Страницы1405-1408
Число страниц4
Том8
Издание11
СостояниеОпубликовано - мая 1975

ASJC Scopus subject areas

  • Engineering(all)

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «INFLUENCE OF AN ELECTRICALLY INACTIVE IMPURITY ON THE WIDTH OF PHOTOTHERMAL IONIZATION LINES OF A DIFFERENT SHALLOW IMPURITY.». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

  • Цитировать

    Artemenko, S. N., Kal'fa, A. A., Kogan, S. M., & Sidorov, V. I. (1975). INFLUENCE OF AN ELECTRICALLY INACTIVE IMPURITY ON THE WIDTH OF PHOTOTHERMAL IONIZATION LINES OF A DIFFERENT SHALLOW IMPURITY. В Sov Phys Semicond (11 ред., Том 8, стр. 1405-1408)