Indirect thermal measurement on SIC JFET transistors

Sabrine Moumen, Stéphane Lefebvre, Zoubir Khatir, Jean Claude Faugières

Результат исследований: Материалы для книги/типы отчетовМатериалы для конференции

3 Цитирования (Scopus)

Аннотация

Thermal and reliability studies on SiC JFET transistors need estimation of junction temperature. The paper depicts results obtained with two thermal indicators (on-state resistance and gate to source voltage). These two thermal indicators may be used as indirect temperature sensors during heating phases of the transistor. This temperature allows estimating the thermal impedance (Zth) of the device which contains the full thermal description of the power module.

Язык оригиналаАнглийский
Название основной публикации2009 13th European Conference on Power Electronics and Applications, EPE '09
СостояниеОпубликовано - 1 дек 2009
Опубликовано для внешнего пользованияДа
Событие2009 13th European Conference on Power Electronics and Applications, EPE '09 - Barcelona, Испания
Продолжительность: 8 сен 200910 сен 2009

Серия публикаций

Название2009 13th European Conference on Power Electronics and Applications, EPE '09

Конференция

Конференция2009 13th European Conference on Power Electronics and Applications, EPE '09
СтранаИспания
ГородBarcelona
Период8.9.0910.9.09

ASJC Scopus subject areas

  • Energy Engineering and Power Technology
  • Electrical and Electronic Engineering

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Indirect thermal measurement on SIC JFET transistors». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

  • Цитировать

    Moumen, S., Lefebvre, S., Khatir, Z., & Faugières, J. C. (2009). Indirect thermal measurement on SIC JFET transistors. В 2009 13th European Conference on Power Electronics and Applications, EPE '09 [5278880] (2009 13th European Conference on Power Electronics and Applications, EPE '09).