GaSe damage threshold under IR pulse pumping

Jin Guo, Ji Jiang Xie, Laiming Zhang, Fei Chen, Ke Jiang, Sergei V. Alexeev, Yury M. Andreev, Konstantin A. Kokh, Gregory V. Lanskii, Valery F. Losev, Dmitry M. Lubenko, Anna V. Shaiduko, Valeriy A. Svetlichnyi

Результат исследований: Материалы для книги/типы отчетовМатериалы для конференции

2 Цитирования (Scopus)

Аннотация

Damage threshold of non-linear GaSe crystals under IR fs (Ti:Sapphiere 800 nm laser and 1.1-2.9μm OPG) and ns (2. 79 Er 3+:YSGG and 10.6μm CO 2 laser) pulse pumping is studded in details. Local micro defects and field induced effects (GaSe dissociation, multiphoton absorptions and transient transparency origin effects) are identified as responsible for damage threshold in this case. Local (including nano scaled) defects and thermal effects are identified as reason of damage threshold under ns pulse pumping.

Язык оригиналаАнглийский
Название основной публикацииXIX International Symposium on High-Power Laser Systems and Applications 2012
Том8677
DOI
СостояниеОпубликовано - 2013
СобытиеXIX International Symposium on High-Power Laser Systems and Applications 2012 - Istanbul, Турция
Продолжительность: 10 сен 201214 сен 2012

Конференция

КонференцияXIX International Symposium on High-Power Laser Systems and Applications 2012
СтранаТурция
ГородIstanbul
Период10.9.1214.9.12

ASJC Scopus subject areas

  • Applied Mathematics
  • Computer Science Applications
  • Electrical and Electronic Engineering
  • Electronic, Optical and Magnetic Materials
  • Condensed Matter Physics

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «GaSe damage threshold under IR pulse pumping». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать