Features of F2 centers accumulation in oxygen-containing LiF crystals

Liudmila A. Lisitsyna, Raigul Kassymkanova, Victor M. Lisitsyn

Результат исследования: Материалы для книги/типы отчетовМатериалы для конференции

2 Цитирования (Scopus)

Аннотация

A mechanism for correlated formation of intrinsic defects - F 2 centers and impurity hole centers with hydrogen bond in oxygen-containing LiF crystals is suggested.

Язык оригиналаАнглийский
Заголовок главной публикацииAdvanced Materials Research
Страницы62-67
Количество страниц6
Том880
DOI
Статус публикацииОпубликовано - 2014
Событие10th International Conference on Prospects of Fundamental Sciences Development, PFSD-2013 - Tomsk, Российская Федерация
Длительность: 23 апр 201326 апр 2013

Серии публикаций

Имя, фамилияAdvanced Materials Research
Том880
ISSN (печатная версия)10226680

Другое

Другое10th International Conference on Prospects of Fundamental Sciences Development, PFSD-2013
СтранаРоссийская Федерация
ГородTomsk
Период23.4.1326.4.13

    Fingerprint

ASJC Scopus subject areas

  • Engineering(all)

Цитировать

Lisitsyna, L. A., Kassymkanova, R., & Lisitsyn, V. M. (2014). Features of F2 centers accumulation in oxygen-containing LiF crystals. В Advanced Materials Research (Том 880, стр. 62-67). (Advanced Materials Research; Том 880). https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/AMR.880.62