Emission of electrons from formed MIM structure Mo-SiO2-Al with a layer of polypropylene

Pavel Trayon, Juriy Sakharov, Serge Gyngazov

Результат исследований: Материалы для книги/типы отчетовМатериалы для конференции

Аннотация

The structures of metal - insulator - metal (MIM) and metal - insulator -semiconductor (MIS) are widely applied in various devices of microelectronics. The thin-film structures, subject to process of electrical forming, are widely investigated in connection with an opportunity of their use in flat panel displays as a source of electrons.

Язык оригиналаАнглийский
Название основной публикацииTechnical Digest of the 18th International Vacuum Nanoelectronics Conference, IVNC 2005
ИздательIEEE Computer Society
Страницы186-187
Число страниц2
Том2005
ISBN (печатное издание)0780383974, 9780780383975
DOI
СостояниеОпубликовано - 2005
СобытиеTechnical Digest of the 18th International Vacuum Nanoelectronics Conference, IVNC 2005 - Oxford, Великобритания
Продолжительность: 10 июл 200514 июл 2005

Другое

ДругоеTechnical Digest of the 18th International Vacuum Nanoelectronics Conference, IVNC 2005
СтранаВеликобритания
ГородOxford
Период10.7.0514.7.05

ASJC Scopus subject areas

  • Engineering(all)

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Emission of electrons from formed MIM structure Mo-SiO2-Al with a layer of polypropylene». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

  • Цитировать

    Trayon, P., Sakharov, J., & Gyngazov, S. (2005). Emission of electrons from formed MIM structure Mo-SiO2-Al with a layer of polypropylene. В Technical Digest of the 18th International Vacuum Nanoelectronics Conference, IVNC 2005 (Том 2005, стр. 186-187). [1619548] IEEE Computer Society. https://doi.org/10.1109/IVNC.2005.1619548