Electron beam deflection with channeling in a silicon crystal at the REFER electron ring

S. Strokov, T. Takahashi, I. Endo, M. Iinuma, K. Ueda, H. Kuroiwa, T. Ohnishi, Seiji Sawada

Результат исследований: Материалы для журналаСтатья

18 Цитирования (Scopus)

Аннотация

A new result on the deflection of 150 MeV electron beams with using the 〈1 0 0〉 axis of a silicon crystal is presented. The channeling effect of electrons passed through the crystal was clearly seen. We also studied dependence of the deflection on the beam divergence. The simulation qualitatively agreed with the experimental data.

Язык оригиналаАнглийский
Страницы (с-по)16-19
Число страниц4
ЖурналNuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms
Том252
Номер выпуска1
DOI
СостояниеОпубликовано - ноя 2006
Опубликовано для внешнего пользованияДа

ASJC Scopus subject areas

  • Nuclear and High Energy Physics
  • Instrumentation

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Electron beam deflection with channeling in a silicon crystal at the REFER electron ring». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

  • Цитировать