Effect of metal defect structure on interstitial ion distribution profile

V. I. Bojko, B. E. Kadlubovich, I. V. Shamanin

Результат исследований: Материалы для журналаСтатья

Аннотация

Numerical simulation technique was applied to study the effect of Al defect structure on 1 MeV energy H+ and C6+ ions location upon irradiation. Concentrations of 1010-1012 cm-3 and volume defect size from 0.1 to 0.5 μm are considered. It is shown that volume defects in Al give rise to an increase in projectile ranges, distortion of implanted ion profiles and decrease in the energy release density. These changes affect the secondary processes of ion interaction with material.

Язык оригиналаАнглийский
Страницы (с-по)27-29
Число страниц3
ЖурналFizika i Khimiya Obrabotki Materialov
Номер выпуска3
СостояниеОпубликовано - мая 1991

ASJC Scopus subject areas

  • Materials Science(all)

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Effect of metal defect structure on interstitial ion distribution profile». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

  • Цитировать