Étude de l'effet du vieillissement de la couche de métallisation de composants de puissance à semi-conducteur

Sylvain Pietranico, Sylvie Pommier, Stéphane Lefebvre, Mounira Berkani, Khatir Zoubir, Serge Bontemps, Emmanuel Cadel

Результат исследований: Материалы для журналаСтатья

Аннотация

The paper describes ageing mechanisms of the metallization layer deposited on the chips of power semiconductor devices, and the effects of its ageing on the electrical characteristics of a COOLMOSTM Transistor. We have tried to link the changes in electrical performances to the metallization degradation, in order to better understand the origin of the physical mechanisms of ageing and the effects of the degradation of the metallization layer on electrical performances of tested devices.

Переведенное названиеEffect of die metallization layer ageing in the case of power semiconductor devices
Язык оригиналаФранцузский
Страницы (с-по)569-585
Число страниц17
ЖурналEuropean Journal of Electrical Engineering
Том14
Номер выпуска5
DOI
СостояниеОпубликовано - 1 дек 2011
Опубликовано для внешнего пользованияДа

ASJC Scopus subject areas

  • Electrical and Electronic Engineering

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Étude de l'effet du vieillissement de la couche de métallisation de composants de puissance à semi-conducteur». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

  • Цитировать