DYNAMICS OF ANNIHILATION OF DEFECTS IN SEMICONDUCTOR CRYSTALS UNDER THE ACTION OF SMALL RADIATION DOSES.

P. A. Cherdantsev, I. P. Chernov, Yu A. Timoshnikov, V. A. Korotchenko, A. P. Mamontov

Результат исследований: Материалы для журналаСтатьярецензирование

5 Цитирования (Scopus)

Аннотация

Measurements were made of the thermal effect during gamma -photon irradiation of semiconductor crystals containing defects. The rise in the temperature of a crystal due to the energy released as a result of defect annihilation was 2. 6 K. This small thermal effect was attributed to the absorption of the annihilation energy by defect clusters.

Язык оригиналаАнглийский
Страницы (с-по)1283-1285
Число страниц3
ЖурналSoviet physics. Semiconductors
Том18
Номер выпуска11
СостояниеОпубликовано - ноя 1984

ASJC Scopus subject areas

  • Engineering(all)

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «DYNAMICS OF ANNIHILATION OF DEFECTS IN SEMICONDUCTOR CRYSTALS UNDER THE ACTION OF SMALL RADIATION DOSES.». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать