Defect-rich GaN interlayer facilitating the annihilation of threading dislocations in polar GaN crystals grown on (0001)-oriented sapphire substrates

M. Barchuk, M. Motylenko, T. Schneider, M. Förste, C. Röder, A. Davydok, S. Lazarev, C. Schimpf, C. Wüstefeld, O. Pätzold, D. Rafaja

Результат исследований: Материалы для журналаСтатьярецензирование

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Defect-rich GaN interlayer facilitating the annihilation of threading dislocations in polar GaN crystals grown on (0001)-oriented sapphire substrates». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Physics & Astronomy