Band structure of transverse-energy eigenvalues and strong electron scattering by atomic planes in single crystals

A. A. Vorob'ev, D. E. Popov, S. A. Vorob'ev, V. V. Kaplin

Результат исследований: Материалы для журналаСтатьярецензирование

Аннотация

The interaction between electrons and atomic planes in a single crystal is discussed via a bound-state model; the transverse-energy spectrum allows one to classify many electron states as bound to individual planes, semibound to a system of planes, or free de Broglie waves. Expressions are derived for the channeling probability and the probability of strong Rutherford scattering. There is a detailed discussion of the states for the (100) and (110) planes of silicon, which play a part in strong electron scattering.

Язык оригиналаАнглийский
Страницы (с-по)94-98
Число страниц5
ЖурналSoviet Physics Journal
Том21
Номер выпуска1
DOI
СостояниеОпубликовано - янв 1978

ASJC Scopus subject areas

  • Physics and Astronomy(all)
  • Engineering(all)

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Band structure of transverse-energy eigenvalues and strong electron scattering by atomic planes in single crystals». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать