ANNIHILATION OF POSITRONS IN ELECTRON-IRRADIATED SILICON CRYSTALS.

K. P. Aref'ev, A. A. Tsoi, S. A. Vorob'ev

Результат исследований: Материалы для книги/типы отчетовГлава

Аннотация

An investigation was made of the influence of a static magnetic field on the angular distribution of the annihilation photons in electron-irradiated n-type silicon single crystals. Formation of positronium states near radiation defects in silicon was observed.

Язык оригиналаАнглийский
Название основной публикацииSov Phys Semicond
Страницы1242-1243
Число страниц2
Том10
Издание11
СостояниеОпубликовано - ноя 1976

ASJC Scopus subject areas

  • Engineering(all)

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «ANNIHILATION OF POSITRONS IN ELECTRON-IRRADIATED SILICON CRYSTALS.». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

  • Цитировать

    Aref'ev, K. P., Tsoi, A. A., & Vorob'ev, S. A. (1976). ANNIHILATION OF POSITRONS IN ELECTRON-IRRADIATED SILICON CRYSTALS. В Sov Phys Semicond (11 ред., Том 10, стр. 1242-1243)