ANGULAR DISTRIBUTIONS OF FAST ELECTRONS AT PLANAR CHANNELING IN SILICON CRYSTALS.

V. V. Kaplin, S. B. Nurmagambetov, V. I. Gridnev, E. I. Rozum, S. Pak, S. R. Uglov, S. A. Vorobiev

Результат исследований: Материалы для журналаСтатьярецензирование

4 Цитирования (Scopus)

Аннотация

Experimental and theoretical investigations for the orientation dependence of the angular distribution of 5. 6 Mev electrons transmitted through a silicon crystal in (110) and (111) planar directions are performed. The realization of atomic-type and molecular-type quantum states of channeled electrons as well as the effect of population of the definite states are observed.

Язык оригиналаАнглийский
Страницы (с-по)565-574
Число страниц10
ЖурналPhysica Status Solidi (B) Basic Research
Том126
Номер выпуска2
СостояниеОпубликовано - дек 1984

ASJC Scopus subject areas

  • Electronic, Optical and Magnetic Materials
  • Condensed Matter Physics

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «ANGULAR DISTRIBUTIONS OF FAST ELECTRONS AT PLANAR CHANNELING IN SILICON CRYSTALS.». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать