An influence of polyelectrolyte layer on electrophysical properties of MIS structures

Dmitry A. Gorin, Alexey M. Yaschenok, Alexey O. Manturov, Boris N. Klimov

Результат исследований: Материалы для книги/типы отчетовМатериалы для конференции

Аннотация

An influence of polyelectrolyte layers on electrophysical properties of structures metal-insulator-semiconductor (MIS) under its adsorption on the surface of single crystal silicon is shown. Deposition of polyelectrolyte layers on the surface of single crystal silicon leads to change of the resistance of MIS structure. Deposition of polyethylene imine lead to decreasing the resistance of structure whereas following deposition of polystyrene sodium sulfonate and increasing the number of adsorbed polyelectrolyte layers leads to increasing of resistance of MIS structure.

Язык оригиналаАнглийский
Название основной публикации2009 International School and Seminar on Modern Problems of Nanoelectronics, Micro- and Nanosystem Technologies - Proceedings, INTERNANO-2009
Страницы50-52
Число страниц3
DOI
СостояниеОпубликовано - 2009
Опубликовано для внешнего пользованияДа
Событие2009 International School and Seminar on Modern Problems of Nanoelectronics, Micro- and Nanosystem Technologies, INTERNANO-2009 - Novosibirsk, Российская Федерация
Продолжительность: 28 окт 200931 окт 2009

Конференция

Конференция2009 International School and Seminar on Modern Problems of Nanoelectronics, Micro- and Nanosystem Technologies, INTERNANO-2009
СтранаРоссийская Федерация
ГородNovosibirsk
Период28.10.0931.10.09

ASJC Scopus subject areas

  • Hardware and Architecture
  • Control and Systems Engineering
  • Electrical and Electronic Engineering

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «An influence of polyelectrolyte layer on electrophysical properties of MIS structures». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

  • Цитировать

    Gorin, D. A., Yaschenok, A. M., Manturov, A. O., & Klimov, B. N. (2009). An influence of polyelectrolyte layer on electrophysical properties of MIS structures. В 2009 International School and Seminar on Modern Problems of Nanoelectronics, Micro- and Nanosystem Technologies - Proceedings, INTERNANO-2009 (стр. 50-52). [5335636] https://doi.org/10.1109/INTERNANO.2009.5335636