Результаты исследований за год
Отпечаток Узнайте самые подробные результаты анализа активности Yuriy Nikolaevich Yurjev. Указанные в этом разделе метке относятся к действиям этого человека. Вместе они формируют уникальную картину его активности.
- 4 Похожие профили
Magnetron sputtering
Engineering & Materials Science
magnetron sputtering
Physics & Astronomy
Hydrogen
Chemical Compounds
Transistors
Engineering & Materials Science
coatings
Physics & Astronomy
magnetrons
Physics & Astronomy
transistors
Physics & Astronomy
Magnetic fields
Engineering & Materials Science
Сеть
Недавняя внешняя коллаборация на уровне стран. Углубитесь в детали нажатием на точки.
Результат исследований 2012 2019
The properties of Cu films deposited by high rate magnetron sputtering from a liquid target
Bleykher, G. A., Yuryeva, A. V., Shabunin, A. S., Sidelev, D. V., Grudinin, V. A. & Yuryev, Y. N., 1 ноя 2019, В : Vacuum. 169, 108914.Результат исследований: Материалы для журнала › Статья
Magnetron sputtering
magnetron sputtering
Sputtering
Liquids
liquids
Analysis of work and efficiency increase of of the ILUR-03 installation magnetron system for tubular specimens outer surface modification
Kalin, B. A., Volkov, N. V., Valikov, R. A., Yashin, A. S., Krivobokov, V. P., Yanin, S. N. & Yurjev, Y. N., 4 мая 2017, В : Journal of Physics: Conference Series. 830, 1, 012058.Результат исследований: Материалы для журнала › Статья
magnetrons
installing
ion beams
zirconium alloys
alloying
Increase the threshold voltage of high voltage GaN transistors by low temperature atomic hydrogen treatment
Erofeev, E. V., Fedin, I. V., Kutkov, I. V. & Yurjev, Y. N., 1 фев 2017, В : Semiconductors. 51, 2, стр. 245-248 4 стр.Результат исследований: Материалы для журнала › Статья
Threshold voltage
threshold voltage
high voltages
Hydrogen
Transistors
Power switching transistors based on gallium nitride epitaxial heterostructures
Erofeev, E. V., Fedin, I. V. & Yurjev, Y. N., 1 мая 2017, В : Russian Microelectronics. 46, 3, стр. 205-210 6 стр.Результат исследований: Материалы для журнала › Статья
Gallium nitride
gallium nitrides
Heterojunctions
Transistors
transistors
1
цитирование
(Scopus)
Study on the influence of the magnetron power supply on the properties of the Silicon Nitride films
Kiseleva, D. V., Yurjev, Y. N., Petrakov, Y. V., Sidelev, D. V., Korzhenko, D. V. & Erofeev, E. V., 10 фев 2017, В : Journal of Physics: Conference Series. 789, 1, 012028.Результат исследований: Материалы для журнала › Статья
silicon nitrides
power supplies
spectrophotometry
magnetron sputtering
refractivity
Награды
Премии Томской области в сфере образования, науки, здравоохранения и культуры
Marina Evgenievna Trusova (Recipient), Roman Anatolievich Surmenev (Recipient), Gennady Sergeevich Evtushenko (Recipient), Mikhail Vladimirovich Andreev (Recipient), Arseny Olegovich Chulkov (Recipient), Natalia Evgenievna Shakhova (Recipient), Alexander Vladimirovich Astafev (Recipient), Irina Alekseevna Miloichikova (Recipient), Oleg Khaidarovich Asainov (Recipient), Leonid Vladimirovich Kapilevich (Recipient), Massimiliano Bestetti (Recipient), Galina Alexeevna Bleykher (Recipient), Alena Victorovna Yuryeva (Recipient), Natalia Sergeevna Kuznetsova (Recipient), Egor Grigorievich Yazikov (Recipient), Yuriy Nikolaevich Yurjev (Recipient), Valery Pavlovich Krivobokov (Recipient), Nina Alexandrovna Osipova (Recipient), Ekaterina Anatolievna Filimonenko (Recipient) & Dmitrii Vladimirovich Sidelev (Recipient), 2017
Награда