Нет фото Юрий Николаевич Юрьев

Просмотреть профиль в Scopus

Юрьев Юрий Николаевич

 https://orcid.org/0000-0002-2470-0170
  • 23 Цитирования
  • 3 h-индекс
20122020

Результат исследований по году

Если Вы внесли какие-либо изменения в Pure, они скоро будут видимы здесь.

Fingerprint Узнайте самые подробные результаты анализа активности Yuriy Nikolaevich Yurjev. Указанные в этом разделе метки относятся к работам этого человека. Вместе они формируют уникальную картину активности.

  • 2 Аналогичные профили

Сеть Последние внешние коллаборации на уровне страны. Узнайте подробнее, нажав точки.

Результат исследований

  • 23 Цитирования
  • 3 h-индекс
  • 11 Статья
  • 3 Материалы для конференции
  • 2 Conference article

Comparative Analysis of Properties of the Carbon-Based Coatings Obtained through Various PVD and CVD Deposition Methods

Korzhenko, D. V., Yurjev, Y. N., Emlin, D. R., Plotnikov, S. A., Vladimirov, A. B., Romanov, I. Y., Loginov, B. A. & Loginov, A. B., 7 янв 2020, В : Journal of Physics: Conference Series. 1443, 1, 012006.

Результат исследований: Материалы для журнала

Открытый доступ

    • The properties of Cu films deposited by high rate magnetron sputtering from a liquid target

    Bleykher, G. A., Yuryeva, A. V., Shabunin, A. S., Sidelev, D. V., Grudinin, V. A. & Yuryev, Y. N., 1 ноя 2019, В : Vacuum. 169, 108914.

    Результат исследований: Материалы для журнала › Статья

    • 1 Цитирования (Scopus)

    Analysis of work and efficiency increase of of the ILUR-03 installation magnetron system for tubular specimens outer surface modification

    Kalin, B. A., Volkov, N. V., Valikov, R. A., Yashin, A. S., Krivobokov, V. P., Yanin, S. N. & Yurjev, Y. N., 4 мая 2017, В : Journal of Physics: Conference Series. 830, 1, 012058.

    Результат исследований: Материалы для журнала › Статья

    • Increase the threshold voltage of high voltage GaN transistors by low temperature atomic hydrogen treatment

    Erofeev, E. V., Fedin, I. V., Kutkov, I. V. & Yurjev, Y. N., 1 фев 2017, В : Semiconductors. 51, 2, стр. 245-248 4 стр.

    Результат исследований: Материалы для журнала › Статья

    • Power switching transistors based on gallium nitride epitaxial heterostructures

    Erofeev, E. V., Fedin, I. V. & Yurjev, Y. N., 1 мая 2017, В : Russian Microelectronics. 46, 3, стр. 205-210 6 стр.

    Результат исследований: Материалы для журнала › Статья

    • Награды

    Премии Томской области в сфере образования, науки, здравоохранения и культуры

    Trusova, Marina Evgenievna (Recipient), Surmenev, Roman Anatolievich (Recipient), Evtushenko, Gennady Sergeevich (Recipient), Andreev, Mikhail Vladimirovich (Recipient), Chulkov, Arseny Olegovich (Recipient), Shakhova, Natalia Evgenievna (Recipient), Astafev, Alexander Vladimirovich (Recipient), Miloichikova, Irina Alekseevna (Recipient), Asainov, Oleg Khaidarovich (Recipient), Kapilevich, Leonid Vladimirovich (Recipient), Bestetti, Massimiliano (Recipient), Bleykher, Galina Alexeevna (Recipient), Yuryeva, Alena Victorovna (Recipient), Kuznetsova, Natalia Sergeevna (Recipient), Yazikov, Egor Grigorievich (Recipient), Yurjev, Yuriy Nikolaevich (Recipient), Krivobokov, Valery Pavlovich (Recipient), Osipova, Nina Alexandrovna (Recipient), Filimonenko, Ekaterina Anatolievna (Recipient) & Sidelev, Dmitrii Vladimirovich (Recipient), 2017

    Награда