• 20 Цитирования
  • 3 h-индекс
20122020

Research output per year

Если Вы внесли какие-либо изменения в Pure, они скоро будут видимы здесь.

Fingerprint Узнайте самые подробные результаты анализа активности Yuriy Nikolaevich Yurjev. Указанные в этом разделе метки относятся к работам этого человека. Вместе они формируют уникальную картину активности.

  • 2 Аналогичные профили

Сеть Последние внешние коллаборации на уровне страны. Узнайте подробнее, нажав точки.

Результат исследований

  • 20 Цитирования
  • 3 h-индекс
  • 11 Статья
  • 3 Материалы для конференции
  • 2 Conference article

Comparative Analysis of Properties of the Carbon-Based Coatings Obtained through Various PVD and CVD Deposition Methods

Korzhenko, D. V., Yurjev, Y. N., Emlin, D. R., Plotnikov, S. A., Vladimirov, A. B., Romanov, I. Y., Loginov, B. A. & Loginov, A. B., 7 янв 2020, В : Journal of Physics: Conference Series. 1443, 1, 012006.

Результат исследования: Материалы для журнала

Открытый доступ
  • The properties of Cu films deposited by high rate magnetron sputtering from a liquid target

    Bleykher, G. A., Yuryeva, A. V., Shabunin, A. S., Sidelev, D. V., Grudinin, V. A. & Yuryev, Y. N., 1 ноя 2019, В : Vacuum. 169, 108914.

    Результат исследования: Материалы для журналаСтатья

  • Analysis of work and efficiency increase of of the ILUR-03 installation magnetron system for tubular specimens outer surface modification

    Kalin, B. A., Volkov, N. V., Valikov, R. A., Yashin, A. S., Krivobokov, V. P., Yanin, S. N. & Yurjev, Y. N., 4 мая 2017, В : Journal of Physics: Conference Series. 830, 1, 012058.

    Результат исследования: Материалы для журналаСтатья

  • Increase the threshold voltage of high voltage GaN transistors by low temperature atomic hydrogen treatment

    Erofeev, E. V., Fedin, I. V., Kutkov, I. V. & Yurjev, Y. N., 1 фев 2017, В : Semiconductors. 51, 2, стр. 245-248 4 стр.

    Результат исследования: Материалы для журналаСтатья

  • Power switching transistors based on gallium nitride epitaxial heterostructures

    Erofeev, E. V., Fedin, I. V. & Yurjev, Y. N., 1 мая 2017, В : Russian Microelectronics. 46, 3, стр. 205-210 6 стр.

    Результат исследования: Материалы для журналаСтатья