Если Вы внесли какие-либо изменения в Pure, они скоро будут видимы здесь.

Отпечаток Узнайте самые подробные результаты анализа активности Yuriy Nikolaevich Yurjev. Указанные в этом разделе метке относятся к действиям этого человека. Вместе они формируют уникальную картину его активности.

  • 4 Похожие профили
Magnetron sputtering Engineering & Materials Science
magnetron sputtering Physics & Astronomy
Hydrogen Chemical Compounds
Transistors Engineering & Materials Science
coatings Physics & Astronomy
magnetrons Physics & Astronomy
transistors Physics & Astronomy
Magnetic fields Engineering & Materials Science

Сеть Недавняя внешняя коллаборация на уровне стран. Углубитесь в детали нажатием на точки.

Результат исследований 2012 2019

  • 18 Цитирования
  • 3 h-индекс
  • 11 Статья
  • 3 Материалы для конференции
  • 1 Conference article

The properties of Cu films deposited by high rate magnetron sputtering from a liquid target

Bleykher, G. A., Yuryeva, A. V., Shabunin, A. S., Sidelev, D. V., Grudinin, V. A. & Yuryev, Y. N., 1 ноя 2019, В : Vacuum. 169, 108914.

Результат исследований: Материалы для журналаСтатья

Magnetron sputtering
magnetron sputtering
Sputtering
Liquids
liquids

Analysis of work and efficiency increase of of the ILUR-03 installation magnetron system for tubular specimens outer surface modification

Kalin, B. A., Volkov, N. V., Valikov, R. A., Yashin, A. S., Krivobokov, V. P., Yanin, S. N. & Yurjev, Y. N., 4 мая 2017, В : Journal of Physics: Conference Series. 830, 1, 012058.

Результат исследований: Материалы для журналаСтатья

magnetrons
installing
ion beams
zirconium alloys
alloying

Increase the threshold voltage of high voltage GaN transistors by low temperature atomic hydrogen treatment

Erofeev, E. V., Fedin, I. V., Kutkov, I. V. & Yurjev, Y. N., 1 фев 2017, В : Semiconductors. 51, 2, стр. 245-248 4 стр.

Результат исследований: Материалы для журналаСтатья

Threshold voltage
threshold voltage
high voltages
Hydrogen
Transistors

Power switching transistors based on gallium nitride epitaxial heterostructures

Erofeev, E. V., Fedin, I. V. & Yurjev, Y. N., 1 мая 2017, В : Russian Microelectronics. 46, 3, стр. 205-210 6 стр.

Результат исследований: Материалы для журналаСтатья

Gallium nitride
gallium nitrides
Heterojunctions
Transistors
transistors
1 цитирование (Scopus)

Study on the influence of the magnetron power supply on the properties of the Silicon Nitride films

Kiseleva, D. V., Yurjev, Y. N., Petrakov, Y. V., Sidelev, D. V., Korzhenko, D. V. & Erofeev, E. V., 10 фев 2017, В : Journal of Physics: Conference Series. 789, 1, 012028.

Результат исследований: Материалы для журналаСтатья

silicon nitrides
power supplies
spectrophotometry
magnetron sputtering
refractivity