• 1253 Цитирования
  • 18 h-индекс
1993 …2019

Research output per year

Если Вы внесли какие-либо изменения в Pure, они скоро будут видимы здесь.

Результат исследований

Фильтр
Conference article
2018

Aluminum metallization and wire bonding aging in power MOSFET modules

Ruffilli, R., Berkani, M., Dupuy, P., Lefebvre, S., Weber, Y., Warot-Fonrose, B., Marcelot, C. & Legros, M., 1 янв 2018, В : Materials Today: Proceedings. 5, 6, стр. 14641-14651 11 стр.

Результат исследования: Материалы для журнала

2004

Characterisation of silicon carbide Schottky diodes and COOLMOS™ transistors at high temperature

Dupont, L., Lefebvre, S., Bontemps, S., Khatir, Z. & Meuret, R., 29 ноя 2004, В : PESC Record - IEEE Annual Power Electronics Specialists Conference. 1, стр. 566-571 6 стр.

Результат исследования: Материалы для журнала

8 Цитирования (Scopus)
1999

Turn-off losses estimation for charge injection controlled non-punch-through IGBTs

Lefebvre, S. & Miserey, F., 1 янв 1999, В : Microelectronics Journal. 30, 6, стр. 563-569 7 стр.

Результат исследования: Материалы для журнала

1 Цитирования (Scopus)
1994

Thermal behaviour of PT and NPT IGBT

Calmon, F., Lefebvre, S., Chante, J. P., Ligot, D. & Reymond, B., 1 дек 1994, В : IEE Conference Publication. 399, стр. 29-34 6 стр.

Результат исследования: Материалы для журнала

7 Цитирования (Scopus)