• 1315 Цитирования
  • 18 h-индекс
1993 …2019

Результат исследований по году

Если Вы внесли какие-либо изменения в Pure, они скоро будут видимы здесь.

Результат исследований

1993

Maximum switching frequency choice for IGBT used in ZCS mode

Lefebvre, S., Forest, F. & Chante, J. P., 1 дек 1993, Materials and Devices. Anon (ред.). 377 ред. Publ by IEE, стр. 356-361 6 стр. (IEE Conference Publication; том 2, № 377).

Результат исследований: Материалы для книги/типы отчетовМатериалы для конференции

4 Цитирования (Scopus)
1994

Quantification and minimization of conducted interferences generated in hard switching and zero current switching cells

Costa, F., Laboure, E., Forest, F. & Lefebvre, S., 1 янв 1994, Conference Proceedings - IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition - APEC. Publ by IEEE, стр. 615-621 7 стр. (Conference Proceedings - IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition - APEC; том 2).

Результат исследований: Материалы для книги/типы отчетовМатериалы для конференции

8 Цитирования (Scopus)

Thermal behaviour of PT and NPT IGBT

Calmon, F., Lefebvre, S., Chante, J. P., Ligot, D. & Reymond, B., 1 дек 1994, В : IEE Conference Publication. 399, стр. 29-34 6 стр.

Результат исследований: Материалы для журнала

8 Цитирования (Scopus)

Turn-off analysis of the IGBT used in ZCS mode

Lefebvre, S., Forest, F., Calmon, F. & Chante, J. P., 1 дек 1994, стр. 99-104. 6 стр.

Результат исследований: Материалы для типов конференцийДокумент

1 Цитирования (Scopus)
1998

Turn-off analysis of PT and NPT IGBTs in zero-current switching

Lefebvre, S., Forest, F., Costa, F. & Arnould, J., 1 янв 1998, В : IEE Proceedings: Circuits, Devices and Systems. 145, 3, стр. 185-191 7 стр.

Результат исследований: Материалы для журналаСтатья

1999

Analysis of CIC NPT IGBT's turn-off operations for high switching current level

Lefebvre, S. & Miserey, F., 1 янв 1999, В : IEEE Transactions on Electron Devices. 46, 5, стр. 1042-1049 8 стр.

Результат исследований: Материалы для журналаСтатья

12 Цитирования (Scopus)

Turn-off losses estimation for charge injection controlled non-punch-through IGBTs

Lefebvre, S. & Miserey, F., 1 янв 1999, В : Microelectronics Journal. 30, 6, стр. 563-569 7 стр.

Результат исследований: Материалы для журнала

1 Цитирования (Scopus)
2000

Influence of gate internal impedance on losses in a power MOS transistor switching at a high frequency in the ZVS mode

Lefebvre, S., Costa, F. & Miserey, F., 1 янв 2000, В : PESC Record - IEEE Annual Power Electronics Specialists Conference. 3, стр. 1606-1611 6 стр.

Результат исследований: Материалы для журналаСтатья

Thermal analysis of high power IGBT modules

Khatir, Z. & Lefebvre, S., 1 дек 2000, стр. 271-274. 4 стр.

Результат исследований: Материалы для типов конференцийДокумент

8 Цитирования (Scopus)
2001

Thermal analysis of power cycling effects on high power IGBT modules by the boundary element method

Khatir, Z. & Lefebvre, S., 1 янв 2001, В : Annual IEEE Semiconductor Thermal Measurement and Management Symposium. стр. 27-34 8 стр.

Результат исследований: Материалы для журналаСтатья

32 Цитирования (Scopus)
2002

Design of a flyback transformer using a stress-annealed iron-based nanocrystalline alloy

Costa, F., Alves, F., Benchabi, A., Simon, F. & Lefèbvre, S., 1 янв 2002, В : EPJ Applied Physics. 18, 3, стр. 173-180 8 стр.

Результат исследований: Материалы для журналаСтатья

1 Цитирования (Scopus)

Influence of the gate internal impedance on losses in a power MOS transistor switching at a high frequency in the ZVS mode

Lefebvre, S., Costa, F. & Miserey, F., 1 янв 2002, В : IEEE Transactions on Power Electronics. 17, 1, стр. 33-39 7 стр.

Результат исследований: Материалы для журналаСтатья

8 Цитирования (Scopus)
2003

Reliability of CoolMOS™ under extremely hard repetitive electrical working conditions

Saint-Eve, F., Lefebvre, S. & Khatir, Z., 1 сен 2003, стр. 312-315. 4 стр.

Результат исследований: Материалы для типов конференцийДокумент

3 Цитирования (Scopus)
2004

Banc de cyclage actif pour l'analyse de la fatigue thermique des brasures de composants IGBTs

Dupont, L., Lefebvre, S., Khatir, Z., Coquery, G. & Faugières, J. C., 1 фев 2004, В : REE, Revue de L'Electricite et de L'Electronique. 2004, 2, стр. 45-51 7 стр.

Результат исследований: Материалы для журналаОбзорная статья

Boundary element analysis of thermal fatigue effects on high power IGBT modules

Khatir, Z. & Lefebvre, S., 1 июн 2004, В : Microelectronics Reliability. 44, 6, стр. 929-938 10 стр.

Результат исследований: Материалы для журналаСтатья

24 Цитирования (Scopus)

Characterisation of silicon carbide Schottky diodes and COOLMOS™ transistors at high temperature

Dupont, L., Lefebvre, S., Bontemps, S., Khatir, Z. & Meuret, R., 29 ноя 2004, В : PESC Record - IEEE Annual Power Electronics Specialists Conference. 1, стр. 566-571 6 стр.

Результат исследований: Материалы для журнала

8 Цитирования (Scopus)
2005

Electrical characterizations and evaluation of thermo-mechanical stresses of a power module dedicated to high temperature applications

Dupont, L., Khatir, Z., Lefebvre, S., Meuret, R., Parmentier, B. & Bontemps, S., 1 дек 2005, 2005 European Conference on Power Electronics and Applications. 1665770. (2005 European Conference on Power Electronics and Applications; том 2005).

Результат исследований: Материалы для книги/типы отчетовМатериалы для конференции

4 Цитирования (Scopus)

Experimental behavior of single-chip IGBT and COOLMOS devices under repetitive short-circuit conditions

Lefebvre, S., Khatir, Z. & Saint-Eve, F., 1 фев 2005, В : IEEE Transactions on Electron Devices. 52, 2, стр. 276-283 8 стр.

Результат исследований: Материалы для журналаСтатья

70 Цитирования (Scopus)

Influence of repetitions of short-circuit conditions on IGBT lifetime

Saint-Eve, F., Lefebvre, S. & Khatir, Z., 1 янв 2005, В : EPE Journal (European Power Electronics and Drives Journal). 15, 4, стр. 7-12 6 стр.

Результат исследований: Материалы для журналаОбзорная статья

5 Цитирования (Scopus)
2006

Effects of metallization thickness of ceramic substrates on the reliability of power assemblies under high temperature cycling

Dupont, L., Khatir, Z., Lefebvre, S. & Bontemps, S., 1 сен 2006, В : Microelectronics Reliability. 46, 9-11, стр. 1766-1771 6 стр.

Результат исследований: Материалы для журналаСтатья

85 Цитирования (Scopus)

Evaluation of substrate technologies under high temperature cycling

Dupont, L., Lefebvre, S., Khatir, Z. & Bontemps, S., 1 янв 2006, 2006 4th International Conference on Integrated Power Systems, CIPS 2006. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., 5758029. (2006 4th International Conference on Integrated Power Systems, CIPS 2006).

Результат исследований: Материалы для книги/типы отчетовМатериалы для конференции

10 Цитирования (Scopus)
2007

Ageing test results of low voltage MOSFET modules for electrical vehicles

Dupont, L., Lefebvre, S., Bouaroudj, M., Khatir, Z., Faugières, J. C. & Emorine, F., 1 дек 2007, 2007 European Conference on Power Electronics and Applications, EPE. 4417433. (2007 European Conference on Power Electronics and Applications, EPE).

Результат исследований: Материалы для книги/типы отчетовМатериалы для конференции

17 Цитирования (Scopus)

Comparison of stress distributions and failure modes during thermal cycling and power cycling on high power IGBT modules

Bouarroudj, M., Khatir, Z., Ousten, J. P., Dupont, L., Lefebvre, S. & Badel, F., 1 дек 2007, 2007 European Conference on Power Electronics and Applications, EPE. 4417457. (2007 European Conference on Power Electronics and Applications, EPE).

Результат исследований: Материалы для книги/типы отчетовМатериалы для конференции

13 Цитирования (Scopus)

Degradation behavior of 600 V-200 A IGBT modules under power cycling and high temperature environment conditions

Bouarroudj, M., Khatir, Z., Ousten, J. P., Badel, F., Dupont, L. & Lefebvre, S., 1 авг 2007, В : Microelectronics Reliability. 47, 9-11 SPEC. ISS., стр. 1719-1724 6 стр.

Результат исследований: Материалы для журналаСтатья

57 Цитирования (Scopus)

Experimental and numerical investigations on delayed short-circuit failure mode of single chip IGBT devices

Khatir, Z., Lefebvre, S. & Saint-Eve, F., 1 фев 2007, В : Microelectronics Reliability. 47, 2-3, стр. 422-428 7 стр.

Результат исследований: Материалы для журналаСтатья

13 Цитирования (Scopus)

Failure modes on low voltage power MOSFETs under high temperature application

Dupont, L., Lefebvre, S., Bouaroudj, M., Khatir, Z. & Faugières, J. C., 1 авг 2007, В : Microelectronics Reliability. 47, 9-11 SPEC. ISS., стр. 1767-1772 6 стр.

Результат исследований: Материалы для журналаСтатья

9 Цитирования (Scopus)

Thermo-mechanical investigations on the effects of the solder meniscus design in solder joint lifetime for power electronic devices

Bouarroudj, M., Khatir, Z., Lefebvre, S. & Dupont, L., 27 ноя 2007, EuroSime 2007: International Conference on Thermal, Mechanical and Multi-Physics Simulation Experiments in Microelectronics and Micro-Systems, 2007. 4201184. (EuroSime 2007: International Conference on Thermal, Mechanical and Multi-Physics Simulation Experiments in Microelectronics and Micro-Systems, 2007).

Результат исследований: Материалы для книги/типы отчетовМатериалы для конференции

6 Цитирования (Scopus)
2008

Experimental investigations of trench field stop IGBT under repetitive short-circuits operations

Arab, M., Lefebvre, S., Khatir, Z. & Bontemps, S., 29 сен 2008, PESC '08 - 39th IEEE Annual Power Electronics Specialists Conference - Proceedings. стр. 4355-4360 6 стр. 4592645. (PESC Record - IEEE Annual Power Electronics Specialists Conference).

Результат исследований: Материалы для книги/типы отчетовМатериалы для конференции

31 Цитирования (Scopus)

Temperature-level effect on solder lifetime during thermal cycling of power modules

Bouarroudj, M., Khatir, Z., Ousten, J. P. & Lefebvre, S., 1 сен 2008, В : IEEE Transactions on Device and Materials Reliability. 8, 3, стр. 471-477 7 стр., 4595635.

Результат исследований: Материалы для журналаСтатья

22 Цитирования (Scopus)

Temperature levels effects on the thermo-mechanical behaviour of solder attach during thermal cycling of power electronic modules

Bouarroudj, M., Khatir, Z. & Lefebvre, S., 29 сен 2008, PESC '08 - 39th IEEE Annual Power Electronics Specialists Conference - Proceedings. стр. 2435-2440 6 стр. 4592306. (PESC Record - IEEE Annual Power Electronics Specialists Conference).

Результат исследований: Материалы для книги/типы отчетовМатериалы для конференции

5 Цитирования (Scopus)
2009

A method to improve the reliability and the fatigue life of power device substrates

Pietranico, S., Pommier, S., Lefebvre, S. & Pattofatto, S., 1 дек 2009, 12th International Conference on Fracture 2009, ICF-12. стр. 7307-7316 10 стр. (12th International Conference on Fracture 2009, ICF-12; том 9).

Результат исследований: Материалы для книги/типы отчетовМатериалы для конференции

1 Цитирования (Scopus)

Characterisation of power modules ceramic substrates for reliability aspects

Pietranico, S., Pommier, S., Lefebvre, S., Khatir, Z. & Bontemps, S., 1 сен 2009, В : Microelectronics Reliability. 49, 9-11, стр. 1260-1266 7 стр.

Результат исследований: Материалы для журналаСтатья

21 Цитирования (Scopus)

Estimation of SiC JFET temperature during short-circuit operations

Berkani, M., Lefebvre, S., Boughrara, N., Khatir, Z., Faugières, J. C., Friedrichs, P. & Haddouche, A., 1 сен 2009, В : Microelectronics Reliability. 49, 9-11, стр. 1358-1362 5 стр.

Результат исследований: Материалы для журналаСтатья

7 Цитирования (Scopus)

Indirect thermal measurement on SIC JFET transistors

Moumen, S., Lefebvre, S., Khatir, Z. & Faugières, J. C., 1 дек 2009, 2009 13th European Conference on Power Electronics and Applications, EPE '09. 5278880. (2009 13th European Conference on Power Electronics and Applications, EPE '09).

Результат исследований: Материалы для книги/типы отчетовМатериалы для конференции

3 Цитирования (Scopus)

Robustness of SiC JFET in short-circuit modes

Boughrara, N., Moumen, S., Lefebvre, S., Khatir, Z., Friedrichs, P. & Faugieres, J. C., 1 янв 2009, В : IEEE Electron Device Letters. 30, 1, стр. 51-53 3 стр.

Результат исследований: Материалы для журналаСтатья

43 Цитирования (Scopus)

Rupture fragile et fatigue des substrats DBC, applications haute temperature

Pietranico, S., Pommier, S., Lefebvre, S. & Khatir, Z., 1 дек 2009, В : European Journal of Electrical Engineering. 12, 2, стр. 271-289 19 стр.

Результат исследований: Материалы для журналаСтатья

Thermal fatigue and failure of electronic power device substrates

Pietranico, S., Pommier, S., Lefebvre, S. & Pattofatto, S., 1 ноя 2009, В : International Journal of Fatigue. 31, 11-12, стр. 1911-1920 10 стр.

Результат исследований: Материалы для журналаСтатья

33 Цитирования (Scopus)
2010

Ageing of SiC JFET transistors under repetitive current limitation conditions

Bouarroudj-Berkani, M., Othman, D., Lefebvre, S., Moumen, S., Khatir, Z. & Ben Sallah, T., 1 сен 2010, В : Microelectronics Reliability. 50, 9-11, стр. 1532-1537 6 стр.

Результат исследований: Материалы для журналаСтатья

16 Цитирования (Scopus)
2011

Ageing and failure modes of IGBT modules in high-temperature power cycling

Smet, V., Forest, F., Huselstein, J. J., Richardeau, F., Khatir, Z., Lefebvre, S. & Berkani, M., 1 янв 2011, В : IEEE Transactions on Industrial Electronics. 58, 10, стр. 4931-4941 11 стр., 5711661.

Результат исследований: Материалы для журналаСтатья

301 Цитирования (Scopus)

Ageing defect detection on IGBT power modules by artificial training methods based on pattern recognition

Oukaour, A., Tala-Ighil, B., Pouderoux, B., Tounsi, M., Bouarroudj-Berkani, M., Lefebvre, S. & Boudart, B., 1 фев 2011, В : Microelectronics Reliability. 51, 2, стр. 386-391 6 стр.

Результат исследований: Материалы для журналаСтатья

34 Цитирования (Scopus)

A study of the effect of degradation of the aluminium metallization layer in the case of power semiconductor devices

Pietranico, S., Lefebvre, S., Pommier, S., Berkani Bouaroudj, M. & Bontemps, S., 1 сен 2011, В : Microelectronics Reliability. 51, 9-11, стр. 1824-1829 6 стр.

Результат исследований: Материалы для журналаСтатья

29 Цитирования (Scopus)

Étude de l'effet du vieillissement de la couche de métallisation de composants de puissance à semi-conducteur

Pietranico, S., Pommier, S., Lefebvre, S., Berkani, M., Zoubir, K., Bontemps, S. & Cadel, E., 1 дек 2011, В : European Journal of Electrical Engineering. 14, 5, стр. 569-585 17 стр.

Результат исследований: Материалы для журналаСтатья

Failure modes and robustness of SiC JFET transistors under current limiting operations

Bouarroudj-Berkani, M., Lefebvre, S., Othman, D., Sabrine, S. M., Khatir, Z. & Salah, T. B., 11 окт 2011, Proceedings of the 2011 14th European Conference on Power Electronics and Applications, EPE 2011. 6020356. (Proceedings of the 2011 14th European Conference on Power Electronics and Applications, EPE 2011).

Результат исследований: Материалы для книги/типы отчетовМатериалы для конференции

8 Цитирования (Scopus)

Study for the non-contact characterization of metallization ageing of power electronic semiconductor devices using the eddy current technique

Nguyen, T. A., Joubert, P. Y., Lefebvre, S., Chaplier, G. & Rousseau, L., 1 июн 2011, В : Microelectronics Reliability. 51, 6, стр. 1127-1135 9 стр.

Результат исследований: Материалы для журналаСтатья

15 Цитирования (Scopus)
2012

A measure using the eddy current technique on the effect of aluminum reconstruction in power semiconductor modules

Nguyen, T. A., Labrousse, D., Joubert, P. Y., Lefebvre, S. & Bontemps, S., 1 дек 2012, Proceedings - PCIM Europe 2012: International Exhibition and Conference for Power Electronics, Intelligent Motion, Renewable Energy and Energy Management. стр. 757-766 10 стр. (PCIM Europe Conference Proceedings).

Результат исследований: Материалы для книги/типы отчетовМатериалы для конференции

Application of thermoelectricity to IGBT for temperature regulation and energy harvesting

Tian, Y., Vasic, D. & Lefebvre, S., 15 авг 2012, Proceedings - 2012 IEEE International Symposium on Industrial Electronics, ISIE 2012. стр. 211-216 6 стр. 6237086. (IEEE International Symposium on Industrial Electronics).

Результат исследований: Материалы для книги/типы отчетовМатериалы для конференции

4 Цитирования (Scopus)

Comparison study on performances and robustness between SiC MOSFET & JFET devices - Abilities for aeronautics application

Othman, D., Berkani, M., Lefebvre, S., Ibrahim, A., Khatir, Z. & Bouzourene, A., 1 сен 2012, В : Microelectronics Reliability. 52, 9-10, стр. 1859-1864 6 стр.

Результат исследований: Материалы для журналаСтатья

36 Цитирования (Scopus)

Distributed and coupled electrothermal model of power semiconductor devices

Belkacem, G., Labrousse, D., Lefebvre, S., Joubert, P. Y., Kuhne, U., Fribourg, L., Soulat, R., Florentin, E. & Rey, C., 24 мая 2012, 2012 1st International Conference on Renewable Energies and Vehicular Technology, REVET 2012. стр. 84-89 6 стр. 6195253. (2012 1st International Conference on Renewable Energies and Vehicular Technology, REVET 2012).

Результат исследований: Материалы для книги/типы отчетовМатериалы для конференции

Estimation of a surface current distribution from 2D magnetic field measurements

Nguyen, T. A., Joubert, P. Y., Lefebvre, S. & Chaplier, G., 9 окт 2012, В : International Journal of Applied Electromagnetics and Mechanics. 39, 1-4, стр. 151-156 6 стр.

Результат исследований: Материалы для журналаСтатья

2 Цитирования (Scopus)

Imagerie électromagnétique sans contact de composants électroniques de puissance à semi-conducteurs: Application à la caractérisation du vieillissement des métallisations de surface

Nguyen, T. A., Lefebvre, S. & Joubert, P. Y., 1 дек 2012, В : Instrumentation Mesure Metrologie. 12, 1-2, стр. 65-89 25 стр.

Результат исследований: Материалы для журналаСтатья