Если Вы внесли какие-либо изменения в Pure, они скоро будут видимы здесь.

Отпечаток Узнайте самые подробные результаты анализа активности Stephane Lefebvre. Указанные в этом разделе метке относятся к действиям этого человека. Вместе они формируют уникальную картину его активности.

  • 1 Похожие профили
Insulated gate bipolar transistors (IGBT) Engineering & Materials Science
Short circuit currents Engineering & Materials Science
Aging of materials Engineering & Materials Science
short circuits Physics & Astronomy
Metallizing Engineering & Materials Science
Transistors Engineering & Materials Science
Failure modes Engineering & Materials Science
Junction gate field effect transistors Engineering & Materials Science

Сеть Недавняя внешняя коллаборация на уровне стран. Углубитесь в детали нажатием на точки.

Результат исследований 1993 2019

1 цитирование (Scopus)

Gate leakage-current, damaged gate and open-circuit failure-mode of recent SiC Power Mosfet: Overview and analysis of unique properties for converter protection and possible future safety management

Richardeau, F., Boige, F. & Lefebvre, S., 9 янв 2019, 2018 IEEE International Conference on Electrical Systems for Aircraft, Railway, Ship Propulsion and Road Vehicles and International Transportation Electrification Conference, ESARS-ITEC 2018. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., 8607551. (2018 IEEE International Conference on Electrical Systems for Aircraft, Railway, Ship Propulsion and Road Vehicles and International Transportation Electrification Conference, ESARS-ITEC 2018).

Результат исследований: Материалы для книги/типы отчетовМатериалы для конференции

Leakage Current
MOSFET
Failure Mode
Power electronics
Silicon carbide
5 Цитирования (Scopus)

SiC power MOSFET in short-circuit operation: Electro-thermal macro-modelling combining physical and numerical approaches with circuit-type implementation

Boige, F., Richardeau, F., Lefebvre, S. & Cousineau, M., 1 апр 2019, В : Mathematics and Computers in Simulation. 158, стр. 375-386 12 стр.

Результат исследований: Материалы для журналаСтатья

MOSFET
Short circuit currents
Macros
Networks (circuits)
Modeling

Aluminum metallization and wire bonding aging in power MOSFET modules

Ruffilli, R., Berkani, M., Dupuy, P., Lefebvre, S., Weber, Y., Warot-Fonrose, B., Marcelot, C. & Legros, M., 1 янв 2018, В : Materials Today: Proceedings. 5, 6, стр. 14641-14651 11 стр.

Результат исследований: Материалы для журнала

Metallizing
Aluminum
Aging of materials
Wire
Aluminum Oxide
2 Цитирования (Scopus)

Effect of short circuit aging on safe operating area of SiC MOSFET

Nguyen, T. A., Lefebvre, S. & Azzopardi, S., 1 сен 2018, В : Microelectronics Reliability. 88-90, стр. 645-651 7 стр.

Результат исследований: Материалы для журналаСтатья

short circuits
Short circuit currents
field effect transistors
Aging of materials
Leakage currents
5 Цитирования (Scopus)

Ensure an original and safe “fail-to-open” mode in planar and trench power SiC MOSFET devices in extreme short-circuit operation

Boige, F., Richardeau, F., Lefebvre, S., Blaquière, J. M., Guibaud, G. & Bourennane, A., 1 сен 2018, В : Microelectronics Reliability. 88-90, стр. 598-603 6 стр.

Результат исследований: Материалы для журналаСтатья

short circuits
MOSFET devices
Short circuit currents
Failure modes
field effect transistors