• 1215 Цитирования
  • 18 h-индекс
1993 …2019

Research output per year

Если Вы внесли какие-либо изменения в Pure, они скоро будут видимы здесь.

Fingerprint Узнайте самые подробные результаты анализа активности Stephane Lefebvre. Указанные в этом разделе метки относятся к работам этого человека. Вместе они формируют уникальную картину активности.

Сеть Последние внешние коллаборации на уровне страны. Узнайте подробнее, нажав точки.

Результат исследований

Gate leakage-current, damaged gate and open-circuit failure-mode of recent SiC Power Mosfet: Overview and analysis of unique properties for converter protection and possible future safety management

Richardeau, F., Boige, F. & Lefebvre, S., 9 янв 2019, 2018 IEEE International Conference on Electrical Systems for Aircraft, Railway, Ship Propulsion and Road Vehicles and International Transportation Electrification Conference, ESARS-ITEC 2018. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., 8607551. (2018 IEEE International Conference on Electrical Systems for Aircraft, Railway, Ship Propulsion and Road Vehicles and International Transportation Electrification Conference, ESARS-ITEC 2018).

Результат исследований: Материалы для книги/типы отчетовМатериалы для конференции

  • 1 Цитирования (Scopus)

    SiC power MOSFET in short-circuit operation: Electro-thermal macro-modelling combining physical and numerical approaches with circuit-type implementation

    Boige, F., Richardeau, F., Lefebvre, S. & Cousineau, M., 1 апр 2019, В : Mathematics and Computers in Simulation. 158, стр. 375-386 12 стр.

    Результат исследований: Материалы для журналаСтатья

  • 5 Цитирования (Scopus)

    Aluminum metallization and wire bonding aging in power MOSFET modules

    Ruffilli, R., Berkani, M., Dupuy, P., Lefebvre, S., Weber, Y., Warot-Fonrose, B., Marcelot, C. & Legros, M., 1 янв 2018, В : Materials Today: Proceedings. 5, 6, стр. 14641-14651 11 стр.

    Результат исследования: Материалы для журнала

  • Effect of short circuit aging on safe operating area of SiC MOSFET

    Nguyen, T. A., Lefebvre, S. & Azzopardi, S., 1 сен 2018, В : Microelectronics Reliability. 88-90, стр. 645-651 7 стр.

    Результат исследований: Материалы для журналаСтатья

  • 2 Цитирования (Scopus)

    Ensure an original and safe “fail-to-open” mode in planar and trench power SiC MOSFET devices in extreme short-circuit operation

    Boige, F., Richardeau, F., Lefebvre, S., Blaquière, J. M., Guibaud, G. & Bourennane, A., 1 сен 2018, В : Microelectronics Reliability. 88-90, стр. 598-603 6 стр.

    Результат исследований: Материалы для журналаСтатья

  • 5 Цитирования (Scopus)