• 83 Цитирования
  • 4 h-индекс
20092013

Результат исследований по году

Если Вы внесли какие-либо изменения в Pure, они скоро будут видимы здесь.

Результат исследований

  • 83 Цитирования
  • 4 h-индекс
  • 5 Статья
2013

Ab initio study of the effects of pressure and strain on electron-phonon coupling in IV and III-V semiconductors

Sjakste, J., Vast, N., Jani, H., Obukhov, S. & Tyuterev, V., апр 2013, В : Physica Status Solidi (B) Basic Research. 250, 4, стр. 716-720 5 стр.

Результат исследований: Материалы для журналаСтатья

9 Цитирования (Scopus)
2011

Ab initio calculation of electron-phonon scattering time in germanium

Tyuterev, V. G., Obukhov, S. V., Vast, N. & Sjakste, J., 11 июл 2011, В : Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics. 84, 3, 035201.

Результат исследований: Материалы для журналаСтатья

31 Цитирования (Scopus)

Thermoelectric transport properties of silicon: Toward an ab initio approach

Wang, Z., Wang, S., Obukhov, S., Vast, N., Sjakste, J., Tyuterev, V. & Mingo, N., 23 мая 2011, В : Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics. 83, 20, 205208.

Результат исследований: Материалы для журналаСтатья

37 Цитирования (Scopus)
2009

Ab initio calculation of the deformation potentials for intervalley phonons in silicon

Obukhov, S. V. & Tyuterev, V. G., июн 2009, В : Physics of the Solid State. 51, 6, стр. 1110-1113 4 стр.

Результат исследований: Материалы для журналаСтатья

1 Цитирования (Scopus)

Ab initio calculations of the deformation potentials for intervalley phonon-assisted transitions in AIIIBV crystals with sphalerite structure

Nikitina, L. N., Obukhov, S. V. & Tyuterev, V. G., дек 2009, В : Russian Physics Journal. 52, 7, стр. 742-748 7 стр.

Результат исследований: Материалы для журналаСтатья

5 Цитирования (Scopus)