• 48 Цитирования
  • 4 h-индекс
20012018

Результат исследований по году

Если Вы внесли какие-либо изменения в Pure, они скоро будут видимы здесь.

Fingerprint Узнайте самые подробные результаты анализа активности Alexander Nikolaevich Razzhuvalov. Указанные в этом разделе метки относятся к работам этого человека. Вместе они формируют уникальную картину активности.

  • 3 Аналогичные профили

Результат исследований

  • 48 Цитирования
  • 4 h-индекс
  • 8 Статья

Tunneling current in w-GaN/AlN(0001) structures with deep-level defects

Razzhuvalov, A. N. & Grinyaev, S. N., 1 окт 2018, В : Superlattices and Microstructures. 122, стр. 624-630 7 стр.

Результат исследований: Материалы для журналаСтатья

  • Peculiarities of tunneling current in w-AlN/GaN(0001) two-barrier structures induced by deep-level defects

    Grinyaev, S. N. & Razzhuvalov, A. N., 21 окт 2016, В : Journal of Applied Physics. 120, 15, 154302.

    Результат исследований: Материалы для журналаСтатья

  • 1 Цитирования (Scopus)

    Analysis of boundary conditions for the envelope functions of GaN/InGaN(0001) heterostructures

    Karavaev, G. F., Chernyshov, VN. & Razzhuvalov, A. N., дек 2012, В : Russian Physics Journal. 55, 7, стр. 764-771 8 стр.

    Результат исследований: Материалы для журналаСтатья

  • A "capacitor" model of the hysteresis of tunneling current in w-GaN/AlGaN(0001) structures

    Razzhuvalov, A. N. & Grinyaev, S. N., янв 2009, В : Physics of the Solid State. 51, 1, стр. 189-201 13 стр.

    Результат исследований: Материалы для журналаСтатья

  • 1 Цитирования (Scopus)

    Hysteresis of tunnel current in w-GaN/AlGaN(0001) double-barrier structures

    Razzhuvalov, A. N. & Grinyaev, S. N., мая 2008, В : Semiconductors. 42, 5, стр. 580-588 9 стр.

    Результат исследований: Материалы для журналаСтатья

  • 9 Цитирования (Scopus)